Analyse thermodynamique des processus de croissance de la couche épitaxiale, connexion semi-conductrice de Ga2Se3 par la méthode du tube ouvert dans le système de transpor
EAN13
9786202588959
ISBN
978-620-2-58895-9
Éditeur
Vdm Verlag Dr.Muller
Date de publication
Collection
OMN.VDM VERLAG
Nombre de pages
60
Dimensions
22,9 x 15,2 x 0,4 cm
Poids
103 g
Langue
français
Fiches UNIMARC
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Analyse thermodynamique des processus de croissance de la couche épitaxiale

connexion semi-conductrice de Ga2Se3 par la méthode du tube ouvert dans le système de transpor

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Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour la synthèse de ce composé. Les résultats des recherches sur la définition et le calcul des paramètres thermodynamiques des substances individuelles du système Ga - Se - Cl - H sont donnés, pour leur utilisation à la modélisation thermodynamique des processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 à partir d'une phase gazeuse. Le lien entre les variables thermodynamiques et les paramètres technologiques du processus de synthèse du Ga2Se3 dans un réacteur de type ouvert avec des sources séparées de gallium et de sélénium est étudié. Le schéma de calcul des paramètres technologiques du processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 dans le système de transport de gaz en flux avec des sources séparées de gallium et de sélénium est illustré.
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